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美光開始量產1z nm工藝節點的DRAM內存

美光科技(Micron)16日宣布進一步推動DRAM產品的革新,其開始采用業界首個“1z nm”的工藝節點批量生產16Gb DDR4內存。

與上一代1Y nm相比,該公司將使用1z nm節點來改善DRAM性能并降低成本。該工藝技術強化了計算DRAM(DDR4),移動DRAM(LPDDR4)和圖形DRAM(GDDR6)產品線的相對性能和功耗方面的持續優化。可適用于人工智能,自動駕駛汽車,5G,移動設備,圖形,游戲,網絡基礎設施和服務器等應用。

該公司通過大規模生產新的16Gb DDR4內存產品,開始向1z nm過渡。它與前幾代基于8Gb DDR4的產品相比,功耗降低約40%。

據悉,該公司還開始批量生產由1z nm節點制造的用于移動設備的16Gb LPDDR4X DRAM。并還提供基于UFS的多芯片封裝(uMCP4)。

1z nm LPDDR4X產品提供業界最低的功耗,它與上一代4K視頻播放等內存密集型應用解決方案相比,功耗降低了10%。作為目前可用的最高容量單片16Gb LPDDR4X芯片(可在單個封裝中堆疊多達8個裸片),LPDDR4X可在不增加前幾代LPDDR4封裝尺寸的情況下使存儲器容量翻倍。

目前,該公司LPDDR4X內存解決方案已批量供貨,可作為分立解決方案和八種不同配置的基于UFS的多芯片封裝(uMCP4),范圍從64GB + 3GB到256GB + 8GB。

另外,美光新加坡3D NAND閃存生產基地(Fab 10)的擴建已于14日完成,NAND大規模生產計劃于2019年下半年在擴建工廠開始。

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