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中國新能源汽車及充電樁市場對IGBT的需求分析【附本土IGBT企業梳理】

IGBT具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關等優良性能,被業界譽為功率變流裝置的“CPU”,小到電磁爐,大到新能源汽車、軌道交通、智能電網等戰略性產業,IGBT都扮演著及其重要的角色。本文將主要介紹中國新能源汽車及充電樁市場對IGBT的需求,并對本土IGBT企業進行梳理。

中國新能源汽車及充電樁市場發展情況

2019上半年,中國新能源汽車市場保持高速增長,其中新能源汽車產量為61.4萬輛,同比增長48.5%;截至6月底,新能源汽車保有量344萬輛。可見,在汽車市場總體低位運行的狀態下,中國新能源汽車市場依然保持著良好的發展態勢。
圖表:2014年-2019上半年中國新能源汽車產量及保有量走勢圖
數據來源:電子發燒友整理
截至2019年6月底,中國充電樁保有量已超100萬臺,車樁比達到3.5:1;從充電樁類型來看,交流、直流公共樁占比穩定在6:4左右。隨著新能源汽車保有量的增長、使用頻率的增加和使用范圍的延伸,充電需求將持續提升,這也必將帶動包括充電樁在內的充電基礎設施的快速推廣。
圖表:2014年-2019上半年中國充電樁基礎設施保有量(萬臺)
數據來源:電子發燒友整理

中國新能源汽車及充電樁領域IGBT的市場規模

在新能源汽車制造中,IGBT約占整車成本的7%-10%,對整車的能源效率有重要影響;同時,IGBT也是新能源充電樁的核心部件之一,約占到充電樁成本的20%。根據<電子發燒友>測算,2018年中國新能源汽車及充電樁領域IGBT的市場規模約為60億元,其中新能源汽車市場約占65%。
圖表:2014-2018年新能源汽車及充電樁領域IGBT市場規模(億元)
數據來源:電子發燒友整理

新能源汽車及充電樁領域IGBT市場前景

近年來,我國新能源汽車保有量持續上升,但充電樁的建設增速卻相對較低,距離2020年達到車樁比接近1的目標較遠。在中央和地方政府的大力支持下,新能源汽車及充電樁市場將保持高速發展,IGBT作為其核心器件也將迎來快速發展期,預計到2020年,該細分領域IGBT市場規模將為130億元

本土IGBT企業梳理

近幾年,本土IGBT技術發展較快,以比亞迪為例,其在2005年進入IGBT產業,并在2009年打破國際廠商壟斷,2018年底,比亞迪發布了在車規級領域具有標桿性意義的IGBT 4.0技術,再一次展示出其在電動車領域的領先地位,進一步打破了國際大廠形成的技術壁壘。
中國作為全球最大的IGBT需求市場,主要市場份額被歐美日企業所占據,但經過多年的發展,目前,已建立起來完整的IGBT產業鏈,并發展起來了一批優秀的IGBT企業。如下表所示,<電子發燒友>整理了本土IGBT企業的簡況,以供參考。
為了全面客觀的對中國模擬器件行業進行梳理和分析,以及了解企業對模擬IC國產化的看法,<電子發燒友>特開展此次調研。我們承諾,對您填寫的信息將絕對保密,所有信息僅供調研參考。【點擊下方二維碼 誠邀您參與調研】
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T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 12次 閱讀
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 運動SPM

CH120DF是一款先進的Motion SPM ? 3模塊,為交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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FSBB15CH120DF 運動SPM

FSBB15CH120D 運動SPM

CH120D是一款先進的MotionSPM?3模塊,用于交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。 這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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FSBB15CH120D 運動SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

120L2Q0SG是一款功率模塊,包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個30A / 1200V硅二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器規格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切換的Si二極管 可焊接針 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
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FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

MC33153 單IGBT驅動器

3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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MC33153 單IGBT驅動器

NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

FL73282 半橋柵極驅動器

2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 00:02 ? 52次 閱讀
FL73282 半橋柵極驅動器

NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 22:02 ? 42次 閱讀
NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 22:02 ? 46次 閱讀
NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

晶閘管和IGBT有什么區別?

SCR的開關時間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊....
發表于 07-30 10:09 ? 1539次 閱讀
晶閘管和IGBT有什么區別?

電力電子技術的經典教程電子書免費下載

我們現在要開始學習一個新的學科——電力電子技術( Power Electronics Technol....
發表于 07-29 08:00 ? 306次 閱讀
電力電子技術的經典教程電子書免費下載

變頻器在高溫下工作需要注意什么及大功率高壓變頻器的散熱分析

變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現代電力電子技術和微....
的頭像 電力講壇 發表于 07-28 10:41 ? 1229次 閱讀
變頻器在高溫下工作需要注意什么及大功率高壓變頻器的散熱分析

IGBT過流保護技術示例

工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。
的頭像 電力電子技術與新能源 發表于 07-26 08:41 ? 1315次 閱讀
IGBT過流保護技術示例

IGBT與MOSFET分布式發電中電力電子逆變器拓撲結構的比較研究資料說明

在目前的能源行業情景中,分布式電網在智能電網中的作用成為一個重要的方面。電力電子轉換器或交流旋轉電機....
發表于 07-24 08:00 ? 225次 閱讀
IGBT與MOSFET分布式發電中電力電子逆變器拓撲結構的比較研究資料說明

半橋逆變電路的工原理

驅動信號仍然采用處理脈寬調制器輸出信號的形式。使得兩路驅動信號的相位錯開(有死區),以防止兩個開關管....
發表于 07-23 10:01 ? 1634次 閱讀
半橋逆變電路的工原理

新能源汽車領域的國產IGBT廠商有哪些?

近年來,新能源汽車逐漸走進人們的生活,據中國汽車工業協會預測,2019年我國新能源汽車銷量將達到16....
的頭像 Carol Li 發表于 07-19 17:14 ? 4732次 閱讀
新能源汽車領域的國產IGBT廠商有哪些?

注冊資金2.5億美元 總投資7.5億美元 IGBT簽約落戶嘉善縣開發區

7月16日,IGBT功率半導體項目簽約落戶嘉善縣開發區。嘉善縣領導徐鳴陽、鄭明、何全根、陸春浩參加簽....
的頭像 半導體前沿 發表于 07-19 10:47 ? 1448次 閱讀
注冊資金2.5億美元 總投資7.5億美元 IGBT簽約落戶嘉善縣開發區

浙江省嘉善縣捷報IGBT功率半導體正式落戶嘉善經濟技術開發區

7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
的頭像 芯論 發表于 07-18 16:11 ? 1187次 閱讀
浙江省嘉善縣捷報IGBT功率半導體正式落戶嘉善經濟技術開發區

IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區

7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
的頭像 中國半導體論壇 發表于 07-18 10:04 ? 1340次 閱讀
IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區

IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區 總投資達7.5億美元

7月16日,浙江省嘉善縣數字經濟發展再傳捷報,IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經濟技術開發區。
的頭像 半導體動態 發表于 07-17 16:27 ? 1557次 閱讀
IGBT功率半導體項目落戶嘉善經濟技術開發區 總投資達7.5億美元
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